IRFP3006PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Фото 1/4 IRFP3006PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 560
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
от 95 шт.3 490
от 255 шт.3 400
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 178 000
Номенклатурный номер: 8003803680
Артикул: IRFP3006PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор МОП-транзистор N-CH 60V 257A TO247

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 195 A
Pd - рассеивание мощности 375 W
Qg - заряд затвора 300 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 182 ns
Время спада 189 ns
Высота 20.7 mm
Длина 15.87 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 280 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 400
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 118 ns
Типичное время задержки при включении 16 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Base Product Number IRFP3006 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8970pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 270
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 2.5 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum IDSS (uA) 20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 375000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-247
Supplier Package TO-247AC
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 189
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 200
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 200 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 8970 50V
Typical Rise Time (ns) 182
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 118
Typical Turn-On Delay Time (ns) 16

Техническая документация

Datasheet IRFP3006PBF
pdf, 366 КБ
Datasheet IRFP3006PBF
pdf, 367 КБ
Datasheet IRFP3006PBF
pdf, 380 КБ
irfp3006pbf-1227511
pdf, 367 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов