IRFP3006PBF, Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 560 ₸
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
от 95 шт. —
3 490 ₸
от 255 шт. —
3 400 ₸
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 178 000 ₸
Номенклатурный номер: 8003803680
Артикул: IRFP3006PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор МОП-транзистор N-CH 60V 257A TO247
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 195 A |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Qg - заряд затвора | 300 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 182 ns |
| Время спада | 189 ns |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 280 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 118 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Base Product Number | IRFP3006 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8970pF @ 50V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 170A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 270 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 2.5 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 375000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 189 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 200 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 200 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 8970 50V |
| Typical Rise Time (ns) | 182 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 118 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
Техническая документация
Datasheet IRFP3006PBF
pdf, 366 КБ
Datasheet IRFP3006PBF
pdf, 367 КБ
Datasheet IRFP3006PBF
pdf, 380 КБ
irfp3006pbf-1227511
pdf, 367 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
