BC857ALT1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию


20 ₸
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт. —
17 ₸
Добавить в корзину 12000 шт.
на сумму 240 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги6
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC857AL |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
кол-во в упаковке | 3000 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов