FDG6301N, Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

FDG6301N, Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
224
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт.211
от 12000 шт.191
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 672 000
Номенклатурный номер: 8003328919
Артикул: FDG6301N
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode Enhancement
Configuration Dual
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 4.5 ns
Forward Transconductance - Min 0.2 S
Id - Continuous Drain Current 220 mA
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number Of Channels 2 Channel
Package / Case SOT-323-6
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases FDG6301N_NL
Pd - Power Dissipation 300 mW
Product MOSFET Small Signal
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 4 Ohms
Rise Time 4.5 ns
Series FDG6301N
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 2 N-Channel
Type FET
Typical Turn-Off Delay Time 4 ns
Typical Turn-On Delay Time 5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 25 V
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов