FDP33N25, Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

FDP33N25, Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 650
Мин. кол-во для заказа 110 шт.
от 233 шт.1 580
от 623 шт.1 500
Добавить в корзину 110 шт. на сумму 181 500
Номенклатурный номер: 8003328529
Артикул: FDP33N25
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 33 A
Maximum Drain Source Resistance 94 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 250 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Maximum Power Dissipation 235 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Series UniFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 36.8 nC 10 V
Width 4.83mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 495 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов