FDP33N25, Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 650 ₸
Мин. кол-во для заказа 110 шт.
от 233 шт. —
1 580 ₸
от 623 шт. —
1 500 ₸
Добавить в корзину 110 шт.
на сумму 181 500 ₸
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 94 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation | 235 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | UniFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36.8 nC 10 V |
| Width | 4.83mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
