IPD060N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию


421 ₸
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 1 052 500 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003325485
Артикул: IPD060N03LGATMA1
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Package Width | 6.22 |
Package Length | 6.5 |
Tab | Tab |
Package Height | 2.3 |
Mounting | Surface Mount |
PCB changed | 2 |
Product Category | Power MOSFET |
Process Technology | OptiMOS |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V|10.8@4.5V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1700@15V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 56000 |
Typical Fall Time (ns) | 3 |
Typical Rise Time (ns) | 3 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Pin Count | 3 |
Military | No |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 533 КБ
Datasheet IPD060N03L
pdf, 996 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов