IPD060N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 1/3 IPD060N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
421
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт. на сумму 1 052 500
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003325485
Артикул: IPD060N03LGATMA1
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Package Width 6.22
Package Length 6.5
Tab Tab
Package Height 2.3
Mounting Surface Mount
PCB changed 2
Product Category Power MOSFET
Process Technology OptiMOS
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 50
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 6@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 22@10V|10.8@4.5V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 22
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1700@15V
Maximum Power Dissipation (mW) 56000
Typical Fall Time (ns) 3
Typical Rise Time (ns) 3
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 20
Typical Turn-On Delay Time (ns) 5
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Pin Count 3
Military No

Техническая документация

Datasheet
pdf, 533 КБ
Datasheet IPD060N03L
pdf, 996 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов