RFD14N05LSM, Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

RFD14N05LSM, Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
750
Мин. кол-во для заказа 260 шт.
от 539 шт.680
от 1439 шт.650
Добавить в корзину 260 шт. на сумму 195 000
Номенклатурный номер: 8003320625
Артикул: RFD14N05LSM
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:14A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:20A; SMD Marking:RFD14N05; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:50V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2V

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 14 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 48 Вт
Тип монтажа Surface Mount
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 42 ns
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 50 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 нКл при 5 В, 40 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 670 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -10 V, +10 V
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 75
Fall Time 16 ns
Height 2.39 mm
Id - Continuous Drain Current 14 A
Length 6.73 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Tube
Part # Aliases RFD14N05LSM_NL
Pd - Power Dissipation 48 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms
Rise Time 24 ns
RoHS Details
Series RFD14N05LSM
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 42 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Unit Weight 0.009184 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V
Width 6.22 mm

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов