RFD14N05LSM, Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ₸
Мин. кол-во для заказа 260 шт.
от 539 шт. —
680 ₸
от 1439 шт. —
650 ₸
Добавить в корзину 260 шт.
на сумму 195 000 ₸
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:14A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:20A; SMD Marking:RFD14N05; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:50V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2V
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 14 A |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 48 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 6.22мм |
| Высота | 2.39мм |
| Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.39мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.73мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 13 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 50 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 5 В, 40 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 670 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -10 V, +10 V |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 75 |
| Fall Time | 16 ns |
| Height | 2.39 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 14 A |
| Length | 6.73 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | RFD14N05LSM_NL |
| Pd - Power Dissipation | 48 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Rise Time | 24 ns |
| RoHS | Details |
| Series | RFD14N05LSM |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Unit Weight | 0.009184 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Width | 6.22 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
