IRLML6346TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

114 ₸

Кратность заказа 3000 шт.

от 6000 шт. — 107 ₸

Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 342 000 ₸

Посмотреть альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003316753

Артикул: IRLML6346TRPBF

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	3.4A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	1.3W
Rds On - Drain-Source Resistance	63mО© @ 3.4A,4.5V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.1V @ 10uA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	3.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	63 4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Voltage (V)	±12
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1300
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	HEXFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT-23
Supplier Package	SOT-23
Typical Fall Time (ns)	4.9
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	2.9 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	270 24V
Typical Rise Time (ns)	4
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	12
Typical Turn-On Delay Time (ns)	3.3
Крутизна характеристики S,А/В	9.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	63
Температура, С	-55…+150