IRFB4228PBF, Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/4 IRFB4228PBF, Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 700
Мин. кол-во для заказа 65 шт.
от 373 шт.2 510
Добавить в корзину 65 шт. на сумму 175 500
Номенклатурный номер: 8003315853
Артикул: IRFB4228PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.


Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канал 150 В 83A (Tc) 330 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Технические параметры

Base Product Number IRFB4228 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 83A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4530pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 33A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 83
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 15 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 150
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 330000
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220AB
Tab Tab
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 72
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 72 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 4530 25V
FET Feature -
Manufacturer Infineon Technologies
Standard Package 50

Техническая документация

pdf, 304 КБ
pdf, 292 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов