MJE2955T, Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию




31211 шт., срок 14-16 недель
1 070 ₸
Мин. кол-во для заказа 180 шт.
от 259 шт. —
960 ₸
Добавить в корзину 180 шт.
на сумму 192 600 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics
Технические параметры
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 8 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальная рабочая частота | 2 МГц |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.4мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 70 В |
Производитель | STMicroelectronics |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
Тип корпуса | TO-220 |
Максимальное рассеяние мощности | 75 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 4.6мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 10 A |
Тип транзистора | PNP |
Высота | 9.15мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Размеры | 9.15 x 10.4 x 4.6мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 5 |
Pd - рассеивание мощности: | 75 W |
Вид монтажа: | Through Hole |
Высота: | 9.15 mm |
Длина: | 10.4 mm |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 20 |
Конфигурация: | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 70 |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора: | 10 A |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO): | 70 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток: | 10 A |
Подкатегория: | Transistors |
Полярность транзистора: | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 2 MHz |
Производитель: | STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Серия: | MJE2955T |
Технология: | Si |
Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка: | STMicroelectronics |
Упаковка / блок: | TO-220-3 |
Упаковка: | Tube |
Ширина: | 4.6 mm |
Base Product Number | MJE295 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 700ВµA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 2MHz |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power - Max | 75W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO | 70 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 10 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 |
DC Current Gain hFE Max | 70 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT | 2 MHz |
Height | 9.15 mm(Max) |
Length | 10.4 mm(Max) |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current | 10 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 75 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 500V Transistors |
Transistor Polarity | PNP |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Width | 4.6 mm(Max) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 59 КБ
Datasheet MJE2955T
pdf, 59 КБ
MJE2955T datasheet
pdf, 67 КБ
MJE2955T, MJE3055T
pdf, 45 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
Офис «ЧИП и ДИП» | 15 мая1 | бесплатно |
Курьер | 16 мая1 | 1 893 ₸2 |
ПВЗ DPD (KZ) | 16 мая1 | 1 281 ₸2 |
ПВЗ СДЭК (KZ) | 16 мая1 | 1 412 ₸2 |
ПВЗ MyPost | 17 мая1 | 870 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг