IRF9Z24PBF, Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Фото 1/5 IRF9Z24PBF, Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
461
Мин. кол-во для заказа 390 шт.
от 777 шт.455
от 2079 шт.442
Добавить в корзину 390 шт. на сумму 179 790
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003312309
Артикул: IRF9Z24PBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор P-Chan 60V 11 Amp

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.10.00.80
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 11
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 280@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 19(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 19(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 570@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 60000
Typical Fall Time (ns) 29
Typical Rise Time (ns) 68
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 15
Typical Turn-On Delay Time (ns) 13
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-220AB
Standard Package Name TO-220
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 9.01(Max)
Package Length 10.41(Max)
Package Width 4.7(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 50
Серия IRF9Z
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Base Product Number IRF9 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.6A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
FET Feature -
Manufacturer Vishay Siliconix
Packaging Tube
Series -

Техническая документация

Datasheet
pdf, 272 КБ
Datasheet IRF9Z24PBF
pdf, 273 КБ
IRF9Z24 Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet IRF9Z24
pdf, 153 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов