IRF9Z24PBF, Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
461 ₸
Мин. кол-во для заказа 390 шт.
от 777 шт. —
455 ₸
от 2079 шт. —
442 ₸
Добавить в корзину 390 шт.
на сумму 179 790 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003312309
Артикул: IRF9Z24PBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор P-Chan 60V 11 Amp
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 570@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 |
| Typical Fall Time (ns) | 29 |
| Typical Rise Time (ns) | 68 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 4.7(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF9Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRF9 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.6A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tube |
| Series | - |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 272 КБ
Datasheet IRF9Z24PBF
pdf, 273 КБ
IRF9Z24 Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet IRF9Z24
pdf, 153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
