PDTA123ET,215, Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
108000 шт., срок 14-16 недель
34 ₸
20 ₸
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт. —
18 ₸
Добавить в корзину 12000 шт.
на сумму 240 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | 934054696215 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Base Part Number | PDTA123 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 20mA, 5V |
| Manufacturer | Nexperia USA Inc. |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV 500ВuA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet PDTA123ET,215
pdf, 416 КБ
Datasheet PDTA123ET.215
pdf, 223 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
| Офис «ЧИП и ДИП» | 15 мая1 | бесплатно |
| Курьер | 16 мая1 | 1 893 ₸2 |
| ПВЗ DPD (KZ) | 16 мая1 | 1 281 ₸2 |
| ПВЗ СДЭК (KZ) | 16 мая1 | 1 412 ₸2 |
| ПВЗ MyPost | 17 мая1 | 870 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
