BS170, Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

114 ₸
Мин. кол-во для заказа 1600 шт.
Добавить в корзину 1600 шт.
на сумму 182 400 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
BS170-D74Z N CHANNEL MOSFET, 500MA, 60V, TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power Dissipation Pd:830mW; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:500mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:BS170; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:1.2A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:2.1V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:0.8V
Технические параметры
кол-во в упаковке | 2000 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.5 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5000 10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 830 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Ammo |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-92 |
Supplier Package | TO-92 |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 24 10V |
Техническая документация
BS170
pdf, 78 КБ
BS170, MMBF170
pdf, 837 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов