BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
790
Кратность заказа 1000 шт.
от 3000 шт.660
Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 790 000
Номенклатурный номер: 8003279478
Артикул: BFU590QX
Бренд / Производитель: NXP Semiconductor

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур 40 C to + 150 C
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 130
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 300 mA
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 24 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 16 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
Непрерывный коллекторный ток 80 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 8 GHz
Рабочая частота 900 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип Wideband RF Transistor
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Тип транзистора Bipolar Wideband
Торговая марка NXP Semiconductors
Упаковка / блок SOT89-3
кол-во в упаковке 3000
Brand NXP Semiconductors
Collector- Base Voltage VCBO 24 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 16 V
Configuration Dual
Continuous Collector Current 80 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 60
DC Current Gain hFE Max 130
Emitter- Base Voltage VEBO 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product fT 8 GHz
Manufacturer NXP
Maximum DC Collector Current 300 mA
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Operating Frequency 900 MHz
Operating Temperature Range -40 C to+150 C
Package / Case SOT89-3
Packaging Cut Tape
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Product Category RF Bipolar Transistors
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity NPN
Transistor Type Bipolar Wideband
Type Wideband RF Transistor
Unit Weight 0.001423 oz

Техническая документация

Datasheet BFU590QX
pdf, 265 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов