BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 ₸
Кратность заказа 1000 шт.
от 3000 шт. —
660 ₸
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 790 000 ₸
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 130 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 300 mA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 24 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 80 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 8 GHz |
| Рабочая частота | 900 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | Wideband RF Transistor |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Тип транзистора | Bipolar Wideband |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT89-3 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Brand | NXP Semiconductors |
| Collector- Base Voltage VCBO | 24 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 16 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 80 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 |
| DC Current Gain hFE Max | 130 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 2 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 8 GHz |
| Manufacturer | NXP |
| Maximum DC Collector Current | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Frequency | 900 MHz |
| Operating Temperature Range | -40 C to+150 C |
| Package / Case | SOT89-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 2000 mW |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | Bipolar Wideband |
| Type | Wideband RF Transistor |
| Unit Weight | 0.001423 oz |
Техническая документация
Datasheet BFU590QX
pdf, 265 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
