IRFR120NTRPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 1/9 IRFR120NTRPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
446
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт.433
от 6000 шт.400
Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 892 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003268754
Артикул: IRFR120NTRPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 9.1 A
Pd - рассеивание мощности 39 W
Qg - заряд затвора 16.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 210 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 23 ns
Время спада 23 ns
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Другие названия товара № SP001566944
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2000
Технология Si
Тип HEXFET Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 32 ns
Типичное время задержки при включении 4.5 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Крутизна характеристики S,А/В 2.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 210
Температура, С -55…+175
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A) 9.4
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 210 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 48000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 23
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 25(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 25(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 330 25V
Typical Rise Time (ns) 23
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 32
Typical Turn-On Delay Time (ns) 4.5
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Время задержки включения/выключения-4.5/32 нс
Диапазон рабочих температур -55…+175 С
Заряд затвора(Qg)-25 нКл
Корпус TO-252-3
Мощность рассеиваемая(Pd)-48 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-2 В
Описание 100V, 9.4A N-Channel MOSFET
Сопротивление сток-исток открытого транзистора(Rds)-210 мОм
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Упаковка REEL, 2000 шт.
Maximum Continuous Drain Current 9.4 A
Maximum Drain Source Resistance 210 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 48 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type DPAK(TO-252)
Series HEXFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 10 V
Width 6.22mm

Техническая документация

Datasheet IRFR120NTRPBF
pdf, 407 КБ
Datasheet IRFR120NTRLPBF
pdf, 390 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов