Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFR120NTRPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A ...

IRFR120NTRPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

446 ₸

Кратность заказа 2000 шт.

от 4000 шт. — 433 ₸

от 6000 шт. — 400 ₸

Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 892 000 ₸

Посмотреть альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003268754

Артикул: IRFR120NTRPBF

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	9.1 A
Pd - рассеивание мощности	39 W
Qg - заряд затвора	16.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	210 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	23 ns
Время спада	23 ns
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Другие названия товара №	SP001566944
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип	HEXFET Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	32 ns
Типичное время задержки при включении	4.5 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Крутизна характеристики S,А/В	2.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	210
Температура, С	-55…+175
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)	9.4
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	210 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	48000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	HEXFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	23
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	25(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	25(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	330 25V
Typical Rise Time (ns)	23
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	32
Typical Turn-On Delay Time (ns)	4.5
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Время	задержки включения/выключения-4.5/32 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+175 С
Заряд	затвора(Qg)-25 нКл
Корпус	TO-252-3
Мощность	рассеиваемая(Pd)-48 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-2 В
Описание	100V, 9.4A N-Channel MOSFET
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора(Rds)-210 мОм
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Упаковка	REEL, 2000 шт.
Maximum Continuous Drain Current	9.4 A
Maximum Drain Source Resistance	210 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	48 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	DPAK(TO-252)
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	25 nC @ 10 V
Width	6.22mm