J113, Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag

Фото 1/2 J113, Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
147
Мин. кол-во для заказа 1300 шт.
от 4723 шт.140
Добавить в корзину 1300 шт. на сумму 191 100
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003214223
Артикул: J113
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - JFET
TRANSISTOR, JFET, N, TO-92; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:2mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V; Transistor Case Style:TO-92; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3 Pin; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Application Code:SW; Current Idss Max:2mA; Current Idss Min:2mA; Current Ig:50mA; Device Marking:J113; Drain Source Voltage Vds:35V; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Pins:3Pins; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:m; Pin Format:m; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel

Технические параметры

кол-во в упаковке 1
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Configuration Single
Drain-Source Current at Vgs=0 2 mA to 9 mA
Factory Pack Quantity 1000
Gate-Source Cutoff Voltage -3 V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Style Through Hole
Operating Temperature Range -55 C to+150 C
Package / Case TO-92
Packaging Bulk
Part # Aliases J113_NL
Pd - Power Dissipation 625 mW
Product Category JFET
Rds On - Drain-Source Resistance 100 Ohms
RoHS Details
Series J113
Transistor Polarity N-Channel
Unit Weight 0.00709 oz
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage -35 V

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов