IPP320N20N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

IPP320N20N3GXKSA1, Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 520
Мин. кол-во для заказа 72 шт.
от 397 шт.2 340
Добавить в корзину 72 шт. на сумму 181 440
Номенклатурный номер: 8003214072
Артикул: IPP320N20N3GXKSA1
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 34 А
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 136 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.57мм
Высота 15.95мм
Размеры 10.36 x 4.57 x 15.95мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.36мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 11 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 21 ns
Серия OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 32 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 22 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1770 пФ при 100 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Brand Infineon Technologies
Channel Mode Enhancement
Configuration 1 N-Channel
Factory Pack Quantity 500
Fall Time 4 ns
Forward Transconductance - Min 27 S
Height 15.65 mm
Id - Continuous Drain Current 34 A
Length 10 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part # Aliases G IPP320N20N3 IPP320N20N3GXK SP000677842
Pd - Power Dissipation 136 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 29 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 28 mOhms
Rise Time 9 ns
RoHS Details
Series OptiMOS 3
Technology Si
Tradename OptiMOS
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 21 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns
Unit Weight 0.211644 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Width 4.4 mm

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов