BU406G, Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 090 ₸
Мин. кол-во для заказа 170 шт.
от 255 шт. —
1 020 ₸
Добавить в корзину 170 шт.
на сумму 185 300 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги4
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 200V, TO-220-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:60W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1 В пост. тока |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1,2 В пост. тока |
| Length | 10.53мм |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V dc |
| Maximum Continuous Collector Current | 7 A |
| Package Type | TO-220 |
| Maximum Power Dissipation | 60 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Ширина | 4.83мм |
| Тип транзистора | NPN |
| Height | 9.28мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 10.53 x 4.83 x 9.28мм |
| Configuration | Одиночный |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 400 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 200 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@0.5A@5A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.5A@5A |
| Maximum DC Collector Current (A) | 7 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 10(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tube |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.28(Max) |
| Package Length | 10.53(Max) |
| Package Width | 4.83(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Collector- Base Voltage VCBO | 400 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Continuous Collector Current | 7 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Gain Bandwidth Product fT | 10 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 7 A |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| RoHS | Details |
| Series | BU406 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.82 mm(Max) |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
