BU406G, Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/4 BU406G, Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 090
Мин. кол-во для заказа 170 шт.
от 255 шт.1 020
Добавить в корзину 170 шт. на сумму 185 300
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8003213924
Артикул: BU406G
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 200V, TO-220-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:60W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1,2 В пост. тока
Length 10.53мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 400 V dc
Maximum Continuous Collector Current 7 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 60 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -65 °C
Ширина 4.83мм
Тип транзистора NPN
Height 9.28мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Размеры 10.53 x 4.83 x 9.28мм
Configuration Одиночный
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 400
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 200
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@0.5A@5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1@0.5A@5A
Maximum DC Collector Current (A) 7
Maximum Power Dissipation (mW) 60000
Maximum Transition Frequency (MHz) 10(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tube
Automotive No
Standard Package Name TO-220
Pin Count 3
Supplier Package TO-220AB
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 9.28(Max)
Package Length 10.53(Max)
Package Width 4.83(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Collector- Base Voltage VCBO 400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V
Continuous Collector Current 7 A
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 50
Gain Bandwidth Product fT 10 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 7 A
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Pd - Power Dissipation 60 W
RoHS Details
Series BU406
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.82 mm(Max)

Техническая документация

BU406 DATASHEET
pdf, 70 КБ
Datasheet BU406G
pdf, 188 КБ
BU406, BU407
pdf, 223 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов