MMBT3904WT1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

28 ₸
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 9000 шт.
на сумму 252 000 ₸
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 0.2 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.2 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-70-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | MMBT3904W |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Техническая документация
Datasheet SMMBT3904WT1G
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов