MMBT3904WT1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

Фото 1/2 MMBT3904WT1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
28
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 9000 шт. на сумму 252 000
Номенклатурный номер: 8003213798
Артикул: MMBT3904WT1G
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.3 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.2 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 40
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 300 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.2 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SC-70-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 150 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series MMBT3904W
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN

Техническая документация

Datasheet SMMBT3904WT1G
pdf, 131 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов