SPP04N60C3XKSA1, Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 270 ₸
Мин. кол-во для заказа 500 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 1850 шт. —
1 140 ₸
Добавить в корзину 500 шт.
на сумму 635 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003213399
Артикул: SPP04N60C3XKSA1
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, COOLMOS, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:CoolMOS Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 50 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 9.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.4 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SP000681024 SPP04N60C3 |
| Pd - Power Dissipation | 50 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 19 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 850 mOhms |
| Rise Time | 2.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS C3 |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 58.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Width | 4.4 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
