BD912, Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/4 BD912, Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8098 шт., срок 13-16 недель
750
Мин. кол-во для заказа 240 шт.
от 356 шт.720
Добавить в корзину 240 шт. на сумму 180 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003210548
Артикул: BD912
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 В
Максимальная рабочая температура +85 °C
Максимальная рабочая частота 3 MHz
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2,5 В
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В
Производитель STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 90 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 4.6мм
Максимальный пост. ток коллектора 15 A
Тип транзистора PNP
Высота 9.15мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 9.15 x 10.4 x 4.6мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 5
Pd - рассеивание мощности 90 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 150
Максимальный постоянный ток коллектора 15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BD912
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number BD912 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5A, 4V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 3MHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power - Max 90W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2.5A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
кол-во в упаковке 50
Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 15
DC Current Gain hFE Max 150
Emitter- Base Voltage VEBO -5 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product fT 3 MHz
Height 9.15 mm(Max)
Length 10.4 mm(Max)
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current 15 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 90 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 500V Transistors
Transistor Polarity PNP
Width 4.6 mm(Max)

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1147 КБ
Datasheet BD912
pdf, 1148 КБ
BD909-BD912
pdf, 1154 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 10 мая1 бесплатно
Курьер 11 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 11 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 11 мая1 1 4122
ПВЗ MyPost 12 мая1 8702
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг