MJE5852G, Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 720 ₸
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
от 95 шт. —
2 560 ₸
Добавить в корзину 70 шт.
на сумму 190 400 ₸
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
TRANSISTOR, PNP, TO-220AB; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MJxxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Application Code:PHVS; Av Current Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ib:4A; Current Ic @ Vce Sat:4A; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:5mA; Device Marking:MJE5852; External Depth:4.82mm; External Length / Height:30.02mm; External Width:10.28mm; Fall Time @ Ic:0.5µs; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:5; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-65°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.25°C/W; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Power Dissipation Ptot Max:80W; Voltage Vces:450V
Технические параметры
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 5 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,5 В |
| Длина | 10.28мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 400 V |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 80 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Ширина | 4.82мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 8 A |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 9.28мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 9.28 x 10.28 x 4.82мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 5 |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 450 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 8 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 15 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 80 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | MJE5852 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.83 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
