MJE5852G, Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/2 MJE5852G, Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 720
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
от 95 шт.2 560
Добавить в корзину 70 шт. на сумму 190 400
Номенклатурный номер: 8003209703
Артикул: MJE5852G
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
TRANSISTOR, PNP, TO-220AB; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MJxxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Application Code:PHVS; Av Current Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ib:4A; Current Ic @ Vce Sat:4A; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:5mA; Device Marking:MJE5852; External Depth:4.82mm; External Length / Height:30.02mm; External Width:10.28mm; Fall Time @ Ic:0.5µs; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:5; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-65°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.25°C/W; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Power Dissipation Ptot Max:80W; Voltage Vces:450V

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,5 В
Длина 10.28мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 400 V
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 80 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора 8 A
Тип транзистора PNP
Высота 9.28мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Размеры 9.28 x 10.28 x 4.82мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 5
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 450 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 15
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 50
Height 15.75 mm
Length 10.53 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 8 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 80 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series MJE5852
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.83 mm

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов