IRFB4620PBF, Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/2 IRFB4620PBF, Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 770
Мин. кол-во для заказа 110 шт.
от 562 шт.1 660
Добавить в корзину 110 шт. на сумму 194 700
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003209488
Артикул: IRFB4620PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Cерия HEXFET полевых транзисторов на напряжения 150 и 200 В производства компании International Rectifier обладает ультра низким зарядом затвора (Qg) и подходит для таких промышленных применений, как импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, инверторы и DC привода.

Транзисторы IR с номинальным напряжением 150 В по сравнению со своими конкурирующими аналогами на рынке имеют на 59% сниженный суммарный заряд затвора, для транзисторов IR 200 В это значение составляет 33%. Необходимость в разработке специальной линейки транзисторов с низким Qg вызвана непрерывным усовершенствованием технологий построения DC-DC конвертеров. Увеличение частот, на которых работают преобразователи, вывело на первый план такие параметры транзисторов, как входная емкость и заряд затвора. Именно они стали напрямую влиять на общую эффективность работы транзистора.

MOSFET транзисторы IR на 150/200 В оптимизированы, в первую очередь, для быстродействующих схем, где критичными являются потери на переключение. Таким образом, транзисторы могут применяться в качестве ключей первичных схем в изолированных DC-DC преобразователях телекоммуникационного оборудования или для управления малой нагрузкой в современных DC-DC конвертерах.

Техническая документация

Datasheet IRFB4620PBF
pdf, 288 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео