IRFP140NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Фото 1/3 IRFP140NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 160
Мин. кол-во для заказа 160 шт.
от 868 шт.1 080
Добавить в корзину 160 шт. на сумму 185 600
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003209459
Артикул: IRFP140NPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.052ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:94W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:33A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 33 А
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 140 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.3мм
Высота 20.3мм
Размеры 15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 8.2 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 44 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 52 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 94 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1400 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Factory Pack Quantity 400
Height 20.7 mm
Id - Continuous Drain Current 33 A
Length 15.87 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part # Aliases SP001575786
Pd - Power Dissipation 140 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 94 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 52 mOhms
Rise Time 39 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 44 ns
Typical Turn-On Delay Time 8.2 ns
Unit Weight 1.340411 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Width 5.31 mm

Техническая документация

Datasheet IRFP140n
pdf, 170 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов