BC850B,215, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/4 BC850B,215, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
60000 шт., срок 14-16 недель
27
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 12000 шт.23
Добавить в корзину 9000 шт. на сумму 243 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003209273
Артикул: BC850B,215
Бренд / Производитель: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-7

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № BC850B T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 2 mA at 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 200 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number BC850 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 350 КБ
BC850 datasheet
pdf, 50 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 19 мая1 бесплатно
Курьер 22 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 22 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 22 мая1 1 4122
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг