BC33725TA, Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Фото 1/4 BC33725TA, Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
74
Мин. кол-во для заказа 4000 шт.
Кратность заказа 2000 шт.
от 12000 шт.63
Добавить в корзину 4000 шт. на сумму 296 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003198463
Артикул: BC33725TA
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Длина 5.2мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса TO-92
Максимальное рассеяние мощности 0.625 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.19мм
Максимальный пост. ток коллектора 800 мА
Тип транзистора NPN
Высота 5.33мм
Число контактов 3
Размеры 5.33 x 5.2 x 4.19мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
Pd - рассеивание мощности 625 mW
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № BC33725TA_NL
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 630
Максимальный постоянный ток коллектора 0.8 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.8 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 2000
Серия BC337
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Ammo Pack
Упаковка / блок TO-92-3 Kinked Lead
Lead Finish Matte Tin
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.7 50mA 500mA V
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum DC Collector Current 0.8 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Power Dissipation 625 mW
Minimum DC Current Gain 160 100mA 1VI100 300mA 1V
Mounting Through Hole
Operating Temperature -55 to 150 C
Pin Count 3
Product Dimensions 5.2x4.19x5.33 mm
Supplier Package TO-92
Type NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 303 КБ
Datasheet BC337_338
pdf, 27 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов