BD13916STU, Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

Фото 1/2 BD13916STU, Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
415
Мин. кол-во для заказа 430 шт.
от 681 шт.382
Добавить в корзину 430 шт. на сумму 178 450
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 8003198415
Артикул: BD13916STU
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 1.5 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 40
DC Current Gain HFE Max 250
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 1920
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 1.5 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-126-3
Packaging Tube
Part # Aliases BD13916STU_NL
Pd - Power Dissipation 12.5 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BD139
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов