BD13916STU, Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

415 ₸
Мин. кол-во для заказа 430 шт.
от 681 шт. —
382 ₸
Добавить в корзину 430 шт.
на сумму 178 450 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 1.5 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
DC Current Gain HFE Max | 250 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 1920 |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-126-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | BD13916STU_NL |
Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | BD139 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Техническая документация
BD135 / 137 / 139 datasheet
pdf, 41 КБ
Datasheet BD13916STU
pdf, 259 КБ
Транзисторы кт814-825
pdf, 135 КБ
BD15, BD137, BD139
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов