BCW72LT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/4 BCW72LT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
28
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 12000 шт.26
Добавить в корзину 9000 шт. на сумму 252 000
Посмотреть аналоги5
Номенклатурный номер: 8003198125
Артикул: BCW72LT1G
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.21 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BCW72L
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.21 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 300 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 225 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BCW72L
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Maximum Power Dissipation 225 mW
RoHS Details

Техническая документация

BCW72LT1_D-1802622
pdf, 299 КБ
Datasheet BCW72LT1G
pdf, 237 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов