PDTD113ZT,215, Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/5 PDTD113ZT,215, Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
261000 шт., срок 14-16 недель
40
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 21000 шт.35
Добавить в корзину 6000 шт. на сумму 240 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003197850
Артикул: PDTD113ZT,215
Бренд / Производитель: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Типичный коэффициент резистора 0.1
Количество элементов на ИС 1
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора 500 мА
Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.4мм
Тип транзистора NPN
Высота 1мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 3 x 1.4 x 1мм
Типичный входной резистор 1000 Ом
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 70
Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № PDTD113ZT T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 70
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 1 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 10
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number PDTD113 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 500mA
Pd - Power Dissipation 250mW
кол-во в упаковке 3000

Техническая документация

Datasheet
pdf, 181 КБ
Datasheet PDTD113ZT.215
pdf, 179 КБ
Datasheet PDTD113ZT
pdf, 180 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 15 мая1 бесплатно
Курьер 16 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 16 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 16 мая1 1 4122
ПВЗ MyPost 17 мая1 8702
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг