PDTD113ZT,215, Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию




261000 шт., срок 14-16 недель
40 ₸
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 21000 шт. —
35 ₸
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 240 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
Технические параметры
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Типичный коэффициент резистора | 0.1 |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | Nexperia |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -65 °C |
Ширина | 1.4мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
Размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
Типичный входной резистор | 1000 Ом |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | PDTD113ZT T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 10 |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Base Product Number | PDTD113 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 250mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 250mW |
кол-во в упаковке | 3000 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
Офис «ЧИП и ДИП» | 15 мая1 | бесплатно |
Курьер | 16 мая1 | 1 893 ₸2 |
ПВЗ DPD (KZ) | 16 мая1 | 1 281 ₸2 |
ПВЗ СДЭК (KZ) | 16 мая1 | 1 412 ₸2 |
ПВЗ MyPost | 17 мая1 | 870 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг