STF6N95K5, Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Фото 1/5 STF6N95K5, Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8254 шт., срок 14-16 недель
1 850
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
от 548 шт.1 700
Добавить в корзину 100 шт. на сумму 185 000
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003197520
Артикул: STF6N95K5
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 9 A
Pd - рассеивание мощности 25 W
Qg - заряд затвора 13 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.25 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 950 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Вид монтажа Through Hole
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STF6N95K5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 1Ом
Power Dissipation 25Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 950В
Непрерывный Ток Стока
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 1Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Brand STMicroelectronics
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Id - Continuous Drain Current 9 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 25 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 13 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 1.25 Ohms
Series STF6N95K5
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Tradename MDmesh
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 950 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
кол-во в упаковке 50
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 9A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 950V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100ВµA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1258 КБ
Datasheet
pdf, 910 КБ
Datasheet STF6N95K5
pdf, 910 КБ
Datasheet STF6N95K5
pdf, 916 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 19 мая1 бесплатно
Курьер 22 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 22 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 22 мая1 1 4122
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг