STF6N95K5, Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8254 шт., срок 14-16 недель
1 850 ₸
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
от 548 шт. —
1 700 ₸
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 185 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения2
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.25 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF6N95K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Power Dissipation | 25Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 25 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.25 Ohms |
| Series | STF6N95K5 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Tradename | MDmesh |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 100V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1258 КБ
Datasheet
pdf, 910 КБ
Datasheet STF6N95K5
pdf, 910 КБ
Datasheet STF6N95K5
pdf, 916 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
| Офис «ЧИП и ДИП» | 19 мая1 | бесплатно |
| Курьер | 22 мая1 | 1 893 ₸2 |
| ПВЗ DPD (KZ) | 22 мая1 | 1 281 ₸2 |
| ПВЗ СДЭК (KZ) | 22 мая1 | 1 412 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
