IRFB7430PBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 400 ₸
Мин. кол-во для заказа 75 шт.
от 150 шт. —
2 330 ₸
от 401 шт. —
2 250 ₸
Добавить в корзину 75 шт.
на сумму 180 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003197507
Артикул: IRFB7430PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.001ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Dissipation Pd:375W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 375W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.3mО© @ 100A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3.9V @ 250uA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 460nC 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14240pF 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В C ~ 175В C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm 100A, 10V |
| Series | HEXFETВ(r), StrongIRFETв(ў |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V 250ВuA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 150 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3.9 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.3 |
| Температура, С | -55…+175 |
Техническая документация
Datasheet IRFB7430PBF
pdf, 253 КБ
Datasheet irfb7430pbf
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
