IRFB7430PBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/3 IRFB7430PBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 400
Мин. кол-во для заказа 75 шт.
от 150 шт.2 330
от 401 шт.2 250
Добавить в корзину 75 шт. на сумму 180 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003197507
Артикул: IRFB7430PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.001ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Dissipation Pd:375W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 195A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 375W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 1.3mО© @ 100A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40V
Vgs - Gate-Source Voltage 3.9V @ 250uA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 195A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 460nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14240pF 25V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm 100A, 10V
Series HEXFETВ(r), StrongIRFETв(ў
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V 250ВuA
Крутизна характеристики S,А/В 150
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1.3
Температура, С -55…+175

Техническая документация

Datasheet IRFB7430PBF
pdf, 253 КБ
Datasheet irfb7430pbf
pdf, 256 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов