IRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/5 IRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
550
Мин. кол-во для заказа 320 шт.
от 640 шт.540
от 1708 шт.520
Добавить в корзину 320 шт. на сумму 176 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003195794
Артикул: IRLB8721PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Benchmark (эталонные в своем классе) MOSFET-транзисторы International Rectifierc с напряжением 30 В с ультранизким значением заряда затвора (Qg) предназначены для индустриальных применений, включая источники бесперебойного питания (UPS), высокоэффективные низковольтные DC/DC преобразователи, приложения типа O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания), источники питания для серверов и сетевых рабочих станций.

Устройства сочетают в себе высокие эксплуатационные характеристики и производительность и имеют привлекательную невысокую стоимость. MOSFET-транзисторы IRLB8721PBF, IRLB8743PBF, IRLB8748PBF, IRLB3813PBF являются прямой улучшенной заменой существующих 30-вольтовых MOSFETs и являются развитием линейки Benchmark MOSFETs International Rectifier.
Данные MOSFET транзисторы выполнены в корпусе TO-220AB.

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 62 A
Pd - рассеивание мощности 65 W
Qg - заряд затвора 7.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 93 ns
Время спада 17 ns
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HEXFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 35 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия N-Channel
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 9 ns
Типичное время задержки при включении 9.1 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number IRLB8721 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1077pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 31A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25ВµA
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 17 ns
Forward Transconductance - Min 35 S
Id - Continuous Drain Current 62 A
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number Of Channels 1 Channel
Packaging Tube
Part # Aliases SP001558140
Pd - Power Dissipation 65 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 7.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 8.7 mOhms
Rise Time 93 ns
Subcategory MOSFETs
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 9 ns
Typical Turn-On Delay Time 9.1 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1.8 V
Height 15.65 mm
Length 10 mm
RoHS Details
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.4 mm

Техническая документация

Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 275 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 267 КБ
Datasheet IRLB8721PBF
pdf, 290 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео