IRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
см. техническую документацию
Описание
Benchmark (эталонные в своем классе) MOSFET-транзисторы International Rectifierc с напряжением 30 В с ультранизким значением заряда затвора (Qg) предназначены для индустриальных применений, включая источники бесперебойного питания (UPS), высокоэффективные низковольтные DC/DC преобразователи, приложения типа O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания), источники питания для серверов и сетевых рабочих станций.
Устройства сочетают в себе высокие эксплуатационные характеристики и производительность и имеют привлекательную невысокую стоимость. MOSFET-транзисторы IRLB8721PBF, IRLB8743PBF, IRLB8748PBF, IRLB3813PBF являются прямой улучшенной заменой существующих 30-вольтовых MOSFETs и являются развитием линейки Benchmark MOSFETs International Rectifier.
Данные MOSFET транзисторы выполнены в корпусе TO-220AB.
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Qg - заряд затвора | 7.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 93 ns |
| Время спада | 17 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HEXFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | N-Channel |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.1 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Base Product Number | IRLB8721 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1077pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 31A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25ВµA |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 17 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Id - Continuous Drain Current | 62 A |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SP001558140 |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 7.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8.7 mOhms |
| Rise Time | 93 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.1 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| RoHS | Details |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.4 mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
