STP16NF06, Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1950 шт., срок 14-16 недель
940 ₸
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
от 408 шт. —
870 ₸
от 1087 шт. —
840 ₸
Добавить в корзину 210 шт.
на сумму 197 400 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 60 Volt 16 Amp
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP16NF06 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 6 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6.5 S |
| Height | 9.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 16 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 45 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.6 mm |
Техническая документация
Datasheet STP16NF06
pdf, 306 КБ
Datasheet - STP16NF06, STP16NF06FP
pdf, 317 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
| Офис «ЧИП и ДИП» | 17 мая1 | бесплатно |
| Курьер | 18 мая1 | 1 893 ₸2 |
| ПВЗ DPD (KZ) | 18 мая1 | 1 281 ₸2 |
| ПВЗ СДЭК (KZ) | 18 мая1 | 1 412 ₸2 |
| ПВЗ MyPost | 19 мая1 | 870 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
