STP16NF06, Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/2 STP16NF06, Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1950 шт., срок 14-16 недель
940
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
от 408 шт.870
от 1087 шт.840
Добавить в корзину 210 шт. на сумму 197 400
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003195785
Артикул: STP16NF06
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 60 Volt 16 Amp

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 16 A
Pd - рассеивание мощности 45 W
Qg - заряд затвора 10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 18 ns
Время спада 6 ns
Высота 9.15 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение STripFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STP16NF06
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 17 ns
Типичное время задержки при включении 7 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.6 mm
кол-во в упаковке 50
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 6 ns
Forward Transconductance - Min 6.5 S
Height 9.15 mm
Id - Continuous Drain Current 16 A
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 45 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms
Rise Time 18 ns
RoHS Details
Series N-channel STripFET
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 17 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 4.6 mm

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 17 мая1 бесплатно
Курьер 18 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 18 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 18 мая1 1 4122
ПВЗ MyPost 19 мая1 8702
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг