STP10NK60ZFP, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16040 шт., срок 14-16 недель
1 390 ₸
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
от 687 шт. —
1 330 ₸
Добавить в корзину 130 шт.
на сумму 180 700 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канал 600V 10A (Tc) 35W (Tc) сквозное отверстие TO-220FP
Технические параметры
| Base Product Number | STP10 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 10A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 35W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 750mО© @ 4.5A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5V @ 250uA |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 30 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.8 S |
| Height | 16.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rise Time | 20 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Width | 4.6 mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
| Офис «ЧИП и ДИП» | 19 мая1 | бесплатно |
| Курьер | 22 мая1 | 1 893 ₸2 |
| ПВЗ DPD (KZ) | 22 мая1 | 1 281 ₸2 |
| ПВЗ СДЭК (KZ) | 22 мая1 | 1 412 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
