STP10NK60ZFP, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Фото 1/3 STP10NK60ZFP, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16040 шт., срок 14-16 недель
1 390
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
от 687 шт.1 330
Добавить в корзину 130 шт. на сумму 180 700
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003195394
Артикул: STP10NK60ZFP
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канал 600V 10A (Tc) 35W (Tc) сквозное отверстие TO-220FP

Технические параметры

Base Product Number STP10 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 10A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 35W
Rds On - Drain-Source Resistance 750mО© @ 4.5A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600V
Vgs - Gate-Source Voltage 4.5V @ 250uA
кол-во в упаковке 50
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 30 ns
Forward Transconductance - Min 7.8 S
Height 16.4 mm
Id - Continuous Drain Current 10 A
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 35 W
Product Category MOSFET
Rise Time 20 ns
RoHS Details
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 55 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Width 4.6 mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 938 КБ
STP10NK60ZFP datasheet
pdf, 434 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 19 мая1 бесплатно
Курьер 22 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 22 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 22 мая1 1 4122
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг