STP11NK40ZFP, Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Фото 1/4 STP11NK40ZFP, Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8091 шт., срок 14-16 недель
1 190
Мин. кол-во для заказа 160 шт.
от 825 шт.1 100
Добавить в корзину 160 шт. на сумму 190 400
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003195243
Артикул: STP11NK40ZFP
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 9 A
Pd - рассеивание мощности 30 W
Qg - заряд затвора 32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 400 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 20 ns
Время спада 18 ns
Высота 9.3 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5.8 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STP11NK40ZFP
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения 40 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Ширина 4.6 mm
Base Product Number STP11 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4.5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100ВµA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 9
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 550 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 400
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 30000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology SuperMESH
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220FP
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 18
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 32 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 930 25V
Typical Rise Time (ns) 20
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 40
Typical Turn-On Delay Time (ns) 20
Brand STMicroelectronics
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 18 ns
Forward Transconductance - Min 5.8 S
Height 9.3 mm
Id - Continuous Drain Current 9 A
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Pd - Power Dissipation 30 W
Qg - Gate Charge 32 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time 20 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 40 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.75 V
Width 4.6 mm

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 19 мая1 бесплатно
Курьер 22 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 22 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 22 мая1 1 4122
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг