IRFR320TRPBF, Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
343 ₸
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт. —
330 ₸
от 8000 шт. —
310 ₸
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 686 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003193597
Артикул: IRFR320TRPBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Chan 400V 3.1 Amp
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 14 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3.1A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8О© @ 1.9A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1.7 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1800 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В C ~ 150В C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm 1.9A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V 250ВuA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 819 КБ
Datasheet IRFR320TRPbF
pdf, 860 КБ
IRFR320 Datasheet
pdf, 177 КБ
Datasheet IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320
pdf, 822 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
