IRFR320TRPBF, Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 1/4 IRFR320TRPBF, Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
343
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт.330
от 8000 шт.310
Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 686 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003193597
Артикул: IRFR320TRPBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Chan 400V 3.1 Amp

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 3.1 A
Pd - рассеивание мощности 42 W
Qg - заряд затвора 20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 400 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 14 ns
Время спада 13 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.7 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия IRFR/U
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-252-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 3.1A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 2.5W
Rds On - Drain-Source Resistance 1.8О© @ 1.9A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В 1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1800
Температура, С -55…+150
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 3.1A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В C ~ 150В C(TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging Tape и Reel(TR)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W(Ta), 42W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm 1.9A, 10V
Series -
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V 250ВuA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 819 КБ
Datasheet IRFR320TRPbF
pdf, 860 КБ
IRFR320 Datasheet
pdf, 177 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов