IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Фото 1/2 IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
860
Мин. кол-во для заказа 220 шт.
от 446 шт.790
Добавить в корзину 220 шт. на сумму 189 200
Номенклатурный номер: 8003193195
Артикул: IRF9540SPBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 100V P-CH HEXFET МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 19 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 61 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 73 ns
Время спада 57 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 6.2 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 34 ns
Типичное время задержки при включении 16 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-252-3
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A) 19
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 200 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 150000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 57
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 61(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 61(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1400 25V
Typical Rise Time (ns) 73
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 34
Typical Turn-On Delay Time (ns) 16
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 19A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF 25V
Manufacturer Vishay Siliconix
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Cut Tape(CT)
Power Dissipation (Max) 3.7W(Ta), 150W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm 11A, 10V
Series -
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V 250ВuA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet IRF9540SPBF
pdf, 175 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов