IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 ₸
Мин. кол-во для заказа 220 шт.
от 446 шт. —
790 ₸
Добавить в корзину 220 шт.
на сумму 189 200 ₸
Номенклатурный номер: 8003193195
Артикул: IRF9540SPBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор 100V P-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 61 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 73 ns |
| Время спада | 57 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.2 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 19 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 200 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 57 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 61(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 61(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 73 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 19A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В C ~ 175В C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 150W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm 11A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V 250ВuA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet IRF9540SPBF
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
