IRL640SPBF, Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
1 230 ₸
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 793 шт. —
1 150 ₸
Добавить в корзину 150 шт.
на сумму 184 500 ₸
Номенклатурный номер: 8003192839
Артикул: IRL640SPBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 52 ns |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263AB-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
| Rise Time | 83 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Width | 9.65 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
