IRFD9120PBF, Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

Фото 1/3 IRFD9120PBF, Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
449
Мин. кол-во для заказа 400 шт.
от 796 шт.442
Добавить в корзину 400 шт. на сумму 179 600
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003192783
Артикул: IRFD9120PBF
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
P-канал 100 В, 1 А (Ta) 1,3 Вт (Ta), сквозное отверстие 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Технические параметры

Base Product Number IRFD9120 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case 4-DIP (0.300"", 7.62mm)
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
кол-во в упаковке 100
Id - непрерывный ток утечки 1 A
Pd - рассеивание мощности 1.3 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 600 mOhms
RoHS Подробности
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 20 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток -100 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 29 ns
Время спада 29 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Конфигурация Single Dual Drain
Максимальная рабочая температура +150 C
Минимальная рабочая температура -55 C
Полярность транзистора P-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 2500
Типичное время задержки выключения 21 ns
Торговая марка Vishay/Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок HexDIP-4

Техническая документация

Datasheet IRFD9120PBF
pdf, 1015 КБ
irfd9120pbf
pdf, 1771 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов