IRF1404ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/5 IRF1404ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 260
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 310 шт.1 190
от 830 шт.1 130
Добавить в корзину 150 шт. на сумму 189 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003192006
Артикул: IRF1404ZPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Производитель: Infineon
Категория продукта: МОП-транзистор
Технология: Si
Вид монтажа: Through Hole
Упаковка / блок: TO-220-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V
Id - непрерывный ток утечки: 180 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.7 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Qg - заряд затвора: 100 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Pd - рассеивание мощности: 200 W
Канальный режим: Enhancement
Упаковка: Tube
Торговая марка: Infineon / IR
Конфигурация: Single
Время спада: 58 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 170 S
Высота: 15.65 mm
Длина: 10 mm
Тип продукта: MOSFET
Время нарастания: 110 ns
Размер фабричной упаковки: 100
Подкатегория: MOSFETs
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 36 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Ширина: 4.4 mm
Другие названия товара №: IRF1404ZPBF SP001574476
Вес изделия: 2 g

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки: 180 A
Pd - рассеивание мощности: 200 W
Qg - заряд затвора: 100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток: -20 V, +20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V
Время нарастания: 110 ns
Время спада: 58 ns
Количество каналов: 1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 170 S
Полярность транзистора: N-Channel
Рабочая температура: -55 C+175 C
Типичное время задержки выключения: 36 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 58 ns
Forward Transconductance - Min 170 S
Id - Continuous Drain Current 180 A
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part # Aliases SP001574476
Pd - Power Dissipation 200 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 100 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 2.7 mOhms
Rise Time 110 ns
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 36 ns
Typical Turn-On Delay Time 18 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Height 15.65 mm
Length 10 mm
RoHS Details
Width 4.4 mm
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Заряд затвора(Qg)-150 нКл
Мощность рассеиваемая(Pd)-200 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-2В
Описание 40V, 180A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора(Rds)-2.7 мОм
Способ монтажа Through Hole
Тип МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
Упаковка TUBE, 100 шт.

Техническая документация

IRF1404ZPBF
pdf, 319 КБ
Datasheet IRF1404ZPBF
pdf, 401 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов