IRF1404ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 260 ₸
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 310 шт. —
1 190 ₸
от 830 шт. —
1 130 ₸
Добавить в корзину 150 шт.
на сумму 189 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003192006
Артикул: IRF1404ZPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
| Производитель: | Infineon | |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| Технология: | Si | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 | |
| Полярность транзистора: | N-Channel | |
| Количество каналов: | 1 Channel | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 40 V | |
| Id - непрерывный ток утечки: | 180 A | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.7 mOhms | |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V | |
| Qg - заряд затвора: | 100 nC | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C | |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 W | |
| Канальный режим: | Enhancement | |
| Упаковка: | Tube | |
| Торговая марка: | Infineon / IR | |
| Конфигурация: | Single | |
| Время спада: | 58 ns | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 170 S | |
| Высота: | 15.65 mm | |
| Длина: | 10 mm | |
| Тип продукта: | MOSFET | |
| Время нарастания: | 110 ns | |
| Размер фабричной упаковки: | 100 | |
| Подкатегория: | MOSFETs | |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения: | 36 ns | |
| Типичное время задержки при включении: | 18 ns | |
| Ширина: | 4.4 mm | |
| Другие названия товара №: | IRF1404ZPBF SP001574476 | |
| Вес изделия: | 2 g |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 180 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 W |
| Qg - заряд затвора: | 100 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V |
| Время нарастания: | 110 ns |
| Время спада: | 58 ns |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 170 S |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Рабочая температура: | -55 C+175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 18 ns |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 58 ns |
| Forward Transconductance - Min | 170 S |
| Id - Continuous Drain Current | 180 A |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SP001574476 |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 100 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.7 mOhms |
| Rise Time | 110 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Height | 15.65 mm |
| Length | 10 mm |
| RoHS | Details |
| Width | 4.4 mm |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Заряд | затвора(Qg)-150 нКл |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-200 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Описание | 40V, 180A |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-2.7 мОм |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал |
| Упаковка | TUBE, 100 шт. |
Техническая документация
IRF1404ZPBF
pdf, 319 КБ
Datasheet IRF1404ZPBF
pdf, 401 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
