Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF2807ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A ...

IRF2807ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 090 ₸

Мин. кол-во для заказа 170 шт.

от 922 шт. — 1 020 ₸

Добавить в корзину 170 шт. на сумму 185 300 ₸

Посмотреть альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003191919

Артикул: IRF2807ZPBF

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

MOSFET, N, 75V, 89A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:9.4ohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:350A; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Brand	Infineon Technologies
Factory Pack Quantity	500
Height	15.65 mm
Id - Continuous Drain Current	89 A
Length	10 mm
Manufacturer	Infineon
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	170 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	71 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	9.4 mOhms
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	75 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.4 mm