IRF2807ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRF2807ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 090
Мин. кол-во для заказа 170 шт.
от 922 шт.1 020
Добавить в корзину 170 шт. на сумму 185 300
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191919
Артикул: IRF2807ZPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, 75V, 89A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:9.4ohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:350A; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Factory Pack Quantity 500
Height 15.65 mm
Id - Continuous Drain Current 89 A
Length 10 mm
Manufacturer Infineon
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 170 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 71 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 9.4 mOhms
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 75 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 4.4 mm

Техническая документация

Datasheet IRF2807ZPBF
pdf, 399 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов