IRF4104SPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Фото 1/4 IRF4104SPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 270
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 765 шт.1 170
Добавить в корзину 150 шт. на сумму 190 500
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191900
Артикул: IRF4104SPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Крутизна характеристики S,А/В 63
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 5.5
Температура, С -55…+175
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0055Ом
Power Dissipation 140Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 120А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 140Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0055Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 120
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 5.5 10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 40
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 140000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tube
Pin Count 3
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 68
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 68 10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 3000 25V

Техническая документация

Datasheet IRF4104PBF
pdf, 385 КБ
Datasheet IRF4104SPBF
pdf, 376 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов