IRF4104SPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 270 ₸
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 765 шт. —
1 170 ₸
Добавить в корзину 150 шт.
на сумму 190 500 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191900
Артикул: IRF4104SPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Технические параметры
| Крутизна характеристики S,А/В | 63 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 5.5 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0055Ом |
| Power Dissipation | 140Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 140Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0055Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 120 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5.5 10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 140000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 68 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 68 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3000 25V |
Техническая документация
Datasheet IRF4104PBF
pdf, 385 КБ
Datasheet IRF4104SPBF
pdf, 376 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
