IRFB3607PBF, Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/3 IRFB3607PBF, Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
650
Мин. кол-во для заказа 270 шт.
от 541 шт.640
от 1443 шт.620
Добавить в корзину 270 шт. на сумму 175 500
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191891
Артикул: IRFB3607PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-контактный (3 выступа) TO-220AB Tube

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 80
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 9 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 75
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 140000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220AB
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 96
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 56
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 56 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 3070 50V
Typical Rise Time (ns) 110
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 43
Typical Turn-On Delay Time (ns) 16
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 80A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3070pF 50V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 140W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm 46A, 10V
Series HEXFETВ(r)
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V 100ВuA

Техническая документация

Datasheet IRFB3607PBF
pdf, 356 КБ
Datasheet IRFS3607PBF
pdf, 416 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов