IRFU3910PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

473 ₸
Мин. кол-во для заказа 380 шт.
от 743 шт. —
466 ₸
Добавить в корзину 380 шт.
на сумму 179 740 ₸
Номенклатурный номер: 8003191875
Артикул: IRFU3910PBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 16 A |
Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
Максимальное рассеяние мощности | 79 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 2.39мм |
Высота | 6.22мм |
Размеры | 6.73 x 2.39 x 6.22мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 6.73мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 6,4 нс |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 37 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 115 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 44 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 640 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Техническая документация
irfr3910
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов