IRFZ44ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/5 IRFZ44ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
530
Мин. кол-во для заказа 340 шт.
от 1790 шт.510
Добавить в корзину 340 шт. на сумму 180 200
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191842
Артикул: IRFZ44ZPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 51 A
Pd - рассеивание мощности 80 W
Qg - заряд затвора 29 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP001578606
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number IRFZ44 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 31A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
FET Feature -
Manufacturer Infineon Technologies
Packaging Tube
Part Status Active
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 51 A
Maximum Drain Source Resistance 14 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 80 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220AB
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 29 nC @ 10 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 383 КБ
IRFZ44
pdf, 166 КБ
Datasheet irfz44zpbf
pdf, 382 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов