IRFP2907ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 650 ₸

Мин. кол-во для заказа 70 шт.

от 344 шт. — 2 560 ₸

Добавить в корзину 70 шт. на сумму 185 500 ₸

Посмотреть альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003191811

Артикул: IRFP2907ZPBF

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	170 A
Maximum Drain Source Resistance	5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	310 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	180 nC @ 10 V
Width	5.3mm