IRFP2907ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Фото 1/3 IRFP2907ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 650
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
от 344 шт.2 560
Добавить в корзину 70 шт. на сумму 185 500
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191811
Артикул: IRFP2907ZPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 170 A
Maximum Drain Source Resistance 5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 80 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 310 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247AC
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 180 nC @ 10 V
Width 5.3mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP2907Z
pdf, 274 КБ
Datasheet IRFP2907ZPBF
pdf, 276 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов