IGW40T120FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 350 ₸
Мин. кол-во для заказа 41 шт.
от 116 шт. —
4 280 ₸
от 285 шт. —
4 190 ₸
Добавить в корзину 41 шт.
на сумму 178 350 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191777
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
IGBT,1200V,40A,TO247; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.3V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Power Dissipation Max:270W; Transistor Type:IGBT
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
| Gate Charge | 203nC |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В C ~ 150В C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270W |
| Series | TrenchStopВ(r) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 6.5mJ |
| Td (on/off) @ 25В°C | 48ns/480ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 15 Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Техническая документация
Datasheet IGW40T120FKSA1
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
