IGW40T120FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Фото 1/2 IGW40T120FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 350
Мин. кол-во для заказа 41 шт.
от 116 шт.4 280
от 285 шт.4 190
Добавить в корзину 41 шт. на сумму 178 350
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191777
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
IGBT,1200V,40A,TO247; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.3V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Power Dissipation Max:270W; Transistor Type:IGBT

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A
Gate Charge 203nC
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В C ~ 150В C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 270W
Series TrenchStopВ(r)
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 6.5mJ
Td (on/off) @ 25В°C 48ns/480ns
Test Condition 600V, 40A, 15 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V

Техническая документация

Datasheet IGW40T120FKSA1
pdf, 299 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов