SPW16N50C3FKSA1, Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 770 ₸
Мин. кол-во для заказа 65 шт.
Добавить в корзину 65 шт.
на сумму 180 050 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191764
Артикул: SPW16N50C3FKSA1
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:560V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:160W; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max:16A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:560V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Fall Time | 8 ns |
| Height | 21.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 16 A |
| Length | 16.13 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SP000014472 SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3XK |
| Pd - Power Dissipation | 160 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
| Rise Time | 8 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS C3 |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 5.21 mm |
Техническая документация
Datasheet SPW16N50C3
pdf, 755 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
