BC856B,215, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию




> 1 млн. шт., срок 14-16 недель
20 ₸
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт. —
16 ₸
Добавить в корзину 12000 шт.
на сумму 240 000 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 100MA 65V
Технические параметры
Структура | PNP |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 125 |
Hfe при токе коллектора, А | 0.002 |
Hfe при напряжении к-э, В | 5 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
Корпус | SOT23 |
Диапазон рабочих температур, оС | -65...150 |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | BC856B T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA at 5 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA at 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 250mW |
Transistor Type | PNP |
кол-во в упаковке | 3000 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Доставка в регион Алматы
Офис «ЧИП и ДИП» | 15 мая1 | бесплатно |
Курьер | 16 мая1 | 1 893 ₸2 |
ПВЗ DPD (KZ) | 16 мая1 | 1 281 ₸2 |
ПВЗ СДЭК (KZ) | 16 мая1 | 1 412 ₸2 |
ПВЗ MyPost | 17 мая1 | 870 ₸2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг