BC856B,215, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/5 BC856B,215, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 14-16 недель
20
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт.16
Добавить в корзину 12000 шт. на сумму 240 000
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003191663
Артикул: BC856B,215
Бренд / Производитель: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 100MA 65V

Технические параметры

Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока hfe мин 125
Hfe при токе коллектора, А 0.002
Hfe при напряжении к-э, В 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус SOT23
Диапазон рабочих температур, оС -65...150
Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № BC856B T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 220 at 2 mA at 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 220 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 65V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 250mW
Transistor Type PNP
кол-во в упаковке 3000

Техническая документация

Datasheet
pdf, 205 КБ
Datasheet BC856B,215
pdf, 371 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Доставка в регион Алматы

Офис «ЧИП и ДИП» 15 мая1 бесплатно
Курьер 16 мая1 1 8932
ПВЗ DPD (KZ) 16 мая1 1 2812
ПВЗ СДЭК (KZ) 16 мая1 1 4122
ПВЗ MyPost 17 мая1 8702
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг