IRL540NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Фото 1/4 IRL540NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
740
Мин. кол-во для заказа 240 шт.
от 1271 шт.700
Добавить в корзину 240 шт. на сумму 177 600
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190887
Артикул: IRL540NPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канал 100V 36A (Tc) 140W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Технические параметры

Base Product Number IRL540 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 18A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 36A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 140W
Rds On - Drain-Source Resistance 44mО© @ 18A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В 14
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 44
Температура, С -55…+175
кол-во в упаковке 50
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Factory Pack Quantity 900
Fall Time 62 ns
Forward Transconductance - Min 14 S
Height 15.65 mm
Id - Continuous Drain Current 36 A
Length 10 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Number of Channels 1 Channel
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 140 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 49.3 nC
Rise Time 81 ns
RoHS Details
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 39 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns
Unit Weight 0.211644 oz
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Width 4.4 mm

Техническая документация

Datasheet IRL540NPBF
pdf, 1055 КБ
Datasheet IRL540NPBF
pdf, 1046 КБ
Datasheet IRL540
pdf, 166 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов