IRL540NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 ₸
Мин. кол-во для заказа 240 шт.
от 1271 шт. —
700 ₸
Добавить в корзину 240 шт.
на сумму 177 600 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190887
Артикул: IRL540NPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канал 100V 36A (Tc) 140W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Технические параметры
| Base Product Number | IRL540 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 18A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 36A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 140W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 18A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Крутизна характеристики S,А/В | 14 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 |
| Температура, С | -55…+175 |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 900 |
| Fall Time | 62 ns |
| Forward Transconductance - Min | 14 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 36 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 140 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 49.3 nC |
| Rise Time | 81 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Width | 4.4 mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
