IRLU024NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
476 ₸
Мин. кол-во для заказа 380 шт.
от 784 шт. —
469 ₸
от 2093 шт. —
449 ₸
Добавить в корзину 380 шт.
на сумму 180 880 ₸
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190712
Артикул: IRLU024NPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, 55V, 17A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:46W; Transistor Case Style:TO-251AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3.3°C/W; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:65mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:72A; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 17 А |
| Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
| Максимальное рассеяние мощности | 45 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 2.39мм |
| Высота | 6.22мм |
| Размеры | 6.73 x 2.39 x 6.22мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.73мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7.1 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 65 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 480 pF@ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В C ~ 175В C(TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm 10A, 10V |
| Series | HEXFETВ(r) |
| Supplier Device Package | IPAK(TO-251) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V 250ВuA |
Техническая документация
Datasheet IRLR024N
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
