IRLU024NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Фото 1/3 IRLU024NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
476
Мин. кол-во для заказа 380 шт.
от 784 шт.469
от 2093 шт.449
Добавить в корзину 380 шт. на сумму 180 880
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003190712
Артикул: IRLU024NPBF
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
MOSFET, N, 55V, 17A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:46W; Transistor Case Style:TO-251AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3.3°C/W; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:65mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Pulse Current Idm:72A; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 17 А
Тип корпуса IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности 45 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 2.39мм
Высота 6.22мм
Размеры 6.73 x 2.39 x 6.22мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 7.1 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 20 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 15 nC @ 5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 480 pF@ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -16 V, +16 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 17A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF 25V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В C ~ 175В C(TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm 10A, 10V
Series HEXFETВ(r)
Supplier Device Package IPAK(TO-251)
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V 250ВuA

Техническая документация

Datasheet IRLR024N
pdf, 303 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов